Где и кем работать, какая зарплата после магистратуры СПбГЭТУ ЛЭТИ по программе "Силовая микроэлектроника"

Результатами освоения программы должно стать получение обучающимся:

• компетенций в области моделирования и проектирования приборов силовой электроники на основе широкозонных полупроводников, включая разработку технологических процессов их создания;
• компетенций в области физико-химических основ технологий полупроводниковых материалов для приборов силовой электроники;
• компетенций и практических навыков в области технологии изготовления монокристаллических подложек (на примере SiC): синтез исходного материала, процессы объемного роста, резка кристаллов и финишная обработка;
• компетенций и практических навыков в области создания функциональных слоев на монокристаллических подложках с использованием эпитаксиальных технологий;
• компетенций и практических навыков в области постростовых процессов, формирующих планарный технологический маршрут изготовления ЭКБ силовой электроники на основе широкозонных полупроводников;/li>
• компетенций и практических навыков в области диагностики свойств материалов, структур микроэлектроники и приборов силовой микроэлектроники;
• навыков математического и компьютерного моделирования технологических процессов производства изделий силовой микроэлектроники;
• практического опыта по разработке технологических процессов, разработке и изготовлению компонентов силовой микроэлектроники.